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CDE吸收電容

發布時間:2018年4月20日

目前市場出現較多的偷工減料的吸收電容,好進行用低價格吸引客戶,其實這樣是不明智的,因為一個吸收電容的價格和一個模塊的價格,相差的不是一點點,不能因小失大
美國航天航空指定品牌,世界三大電容廠商,美國CDE電容器,它的作用如下:

CDE吸收電容

1:美國CDE吸收電容的作用

母線電感以及緩沖電路及其元件內部的雜散電感,對IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路,有極大的影響。因此,希望它愈小愈好。要減小這些電感,需從多方面入手。第一,直流母線要盡量地短;第二,緩沖電路要盡可能地貼近模塊;第三,選用低電感的聚丙烯無極電容,與IGBT 相匹配的快速緩沖二極管,以及無感泄放電阻;第四,其它有效措施。目前,緩沖電路的制作工藝也有多種方式:有用分立件連接的;有通過印制版連接的;更有用緩沖電容模塊直接安裝在IGBT 模塊上的。顯然,最后一種方式因符合上述第二、第三種降感措施,因而緩沖效果最好,能最大限度地保護IGBT 安全運行,美國CDE吸收電容在這方面是世界最早的鼻祖,最專業的。

2:CDE吸收電容的結構特點

美國CDE吸收電容雙面金屬化膜內串結構、特別的內部設計和端面噴金技術,使電容具低感抗,多條引線設計,可承受更高紋波電流,高du/dv以及高過壓能力。用于各類IGBT緩沖線路突波吸收,各類高頻諧振線路。電容結構: 雙層金屬化膜,內部串聯結構,封裝: 阻燃塑膠外殼,環氧樹脂封裝,符合(UL94V-0 )標準,尺寸: 適合于各種IGBT保護。
3吸收電容的技術參數
美國CDE電容量: 0.0047 to 6.8μF,額定電壓: 700 to 3000 Vdc損耗角正切:測試條件 1000±20 Hz , 25±5℃.Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4 絕緣電阻: 3000s,s= MΩ. μF測試條件 1 minute,100Vdc (25±5℃)耐電壓: 2Ur (DC)測試條件 10s,t 25±5℃,1Min工作溫度: -40~+85℃

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