薄膜電容的額定電壓必須與本地區電網電壓相符合，對于某些電壓過高或者有諧波存在的電網，由于高次諧波，尤其是三、五、七次諧波，能量大的，危害也屬于較強，在配置時，應采取措施予以避免和隔離。注意運行環境溫度。由于過高的運行溫度會導致薄膜電容的電化學反應加劇，影響自愈時的熱量消散，將導致自愈失敗或使用壽命短縮，因此，安裝薄膜電容器時應避開熱源，改善散熱及通風環境。電容器柜應設有合理的保護裝置：調整合適的延時及放電時間，投入與切除電容器組要配有限流及放電裝置。

因為薄膜電容內阻小，浪涌電流可能高達上萬安倍，為了防止新投入的電容器受到旁側先投入的電容器對其放電，所以應設置限流保護裝置；為了保證運行及維護薄膜電容的安全，必須設置放電裝置；投切程序應遵守先投先切，后投后切的原則；為了防止頻繁投切，電容器組在切除時必須保留足夠容量，作為基數組。

高壓陶瓷電容器特點，隨著電子工業的高速發展，迫切要求開發擊穿電壓高、損耗小、體積小、可靠性高的高壓陶瓷電容器。近20多年來，國內外研制成功的高壓陶瓷電容器已經廣泛應用于電力系統、激光電源、磁帶錄像機、彩電、電子顯微鏡、復印機、辦公自動化設備、宇航、導彈、航海等方面。

鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數高、交流耐壓特性較好的優點，但也有電容變化率隨介質溫度升高、絕緣電阻下降等缺點。高壓陶瓷電容器制作的關鍵5點，原料要精選影響高壓陶瓷電容器質量的因素，除瓷料組成外，優化工藝制造、嚴格工藝條件是非常重要的。因此，對原料既要考慮成本又要注意純度，選擇工業純原料時，必須注意原料的適用性。熔塊的制備熔塊的制備質量對瓷料的球磨細度和燒成有很大的影響，如熔塊合成溫度偏低，則合成不充分。對后續工藝不利。如合成料中殘存Ca2+，會阻礙軋膜工藝的進行：如合成溫度偏高，使熔塊過硬，會影響球磨效率：研磨介質的雜質引入，會降低粉料活性，導致瓷件燒成溫度提高。

成型工藝

成型時要防止厚度方向壓力不均，坯體閉口氣孔過多，若有較大氣孔或層裂產生，會影響瓷體的抗電強度。燒成工藝，應嚴格控制燒成制度，采取性能優良的控溫設備及導熱性良好的窯具。

包封料的選擇、包封工藝的控制以及瓷件表面的清潔處理等對電容器的特性影響很大。岡此，必須選擇抗潮性好，與瓷體表面密切結合的、抗電強度高的包封料。目前，大多選擇環氧樹脂，少數產品也有選用酚醛脂進行包封的。還有采取先絕緣漆涂覆，再用酚醛樹脂包封方法的，這對降低成本有一定意義。大規模生產線上多采用粉末包封技術。