關于IGBT二極管選型應用如下
lGBT續流二極管一般應選擇快速類型的二極管，并且具有良好的軟恢復特性。
IGBT續流二極管的正向通態壓降 VF也受溫度影響，選擇IGBT時也需要考慮這一因素。
(2)種類的選擇 IGBT續流二極管一般選擇高頻率的、快速功率型二極管。肖特基二極管一般用于電壓小于100V的情況下。因此，主要用于MOSFET。外延生長式二極管一般用于電壓范圍為100 ~1200V的情況下，因此，可以選擇作為IGBT續流二極管。
(1)參數選擇IGBT續流二極管在參數選擇上主要體現是對換流速度、正向通態壓降 VF、反向阻斷電壓VR,反向恢復時間trr、可重復正向峰值電壓VFRM、反向峰值電流IRRM等的選擇。
反向阻斷電壓VR一般是提供25℃條件下的數值，IGBT續流二極管具有隨著溫度降低，反向阻斷能力下降，漏電流也下降的特點。因此，選擇反向阻斷電壓VR需要考慮溫度這一影響因素。另外，反向阻斷電壓VR下的漏電流不得超過臨界電流IR。
?場效應管和可控硅驅動電路是有本質上的區別，首先場效應管通常分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管，可控硅通常分為單向可控硅和雙向可控硅（可控硅也叫晶閘管，可分單向晶閘管和雙向晶閘管），其中絕緣柵型場效應管也叫MOS管（有一種場效應管、三極管混合的器件叫IGBT俗稱門控管，該器件的驅動電路與場效應管的驅動電路幾乎一樣），這種驅動屬于電壓驅動，在大多應用在功率輸出、電力變換等場合，要求最好采用PWM（脈寬調制）信號來控制，其輸入到柵極的方波上升沿要求陡峭（也稱圖騰柱輸出），并且要有一定的瞬態驅動能力（因為場效應管的柵極等效一個電容，當驅動信號的瞬態功率不夠時，其原本的波形將被改變，通常等效為一個積分器），要求導通時，其柵極電壓要相對于源極高10-20V左右，典型值15V，而關斷時為了保證場效應管關斷可靠，該電壓此時應該為-15V，在實際應用中為了減小場效應管的功耗過大或防止其損壞一般要加如過流保護和相關吸收電路，并且盡量做到場效應管的工作頻率與負載的諧振頻率相同，典型應用就是電磁爐，流過爐盤（加熱線圈）的電流與流過吸收電容的電流各自雖然都很大，但相位不同，互相抵消，經疊加后的總電流較小，即流過場效應管（實際用IGBT）的電流較小。下圖為場效應管的典型驅動電路：
經典的IGBT驅動電路圖
? ?而可控硅屬電流驅動，因為他等效于兩個三極管構成正反饋放大，當有一個觸發信號后，由于強大的正反饋作用，使之一直導通，當柵極電壓高于陽極電壓或者陽極、陰極電壓差小于一定數值時正反饋才會失效，即可控硅被復位，一般情況下，其柵極電壓不會高于陽極，所以可控硅屬于不可關斷的半控器件，當觸發導通時無法通過柵極關斷，而場效應管屬全控器件可以通過柵極關斷。下圖為可控硅結構及其典型驅動電路：
可控硅結構及其典型驅動電路
