2IGBT模塊是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20KHZ，主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即DC/AC變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、MOSFET，雙極型達林頓管等,目今功率可高達1MW的低頻應用中，單個元件電壓可達4.0KV（PT結(jié)構(gòu)）— 6.5KV（NPT結(jié)構(gòu)），電流可達1.5KA，是較為理想的功率模塊。
追其原因是第三代IGBT模塊，它是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點。實質(zhì)是個復合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體化。又因先進的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開關(guān)頻率高（可達20KHZ），這兩點非常顯著的特性，最近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2V）的NPT—IGBT性能更佳，相繼東芝、富士、IR、摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種。
IGBT模塊發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的，特別是發(fā)展高壓變頻器的應用，簡化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡化調(diào)試工作等，都與IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系，所以世界各大器件公司都在奮力研究、開發(fā)，予估近2-3年內(nèi)，會有突破性的進展。目今已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT，IGCT，電流型SGCT等。
