能耗管理需求日益強(qiáng)烈，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)空間廣闊

功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動(dòng)型產(chǎn)業(yè)，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終 端市場(chǎng)能耗管理需求的日益強(qiáng)烈，市場(chǎng)保持穩(wěn)步增長(zhǎng)。集邦咨詢數(shù)據(jù) 顯示 2018 年中國功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模同比增長(zhǎng) 12.76%至 2591 億元 人民幣。IHS預(yù)估全球車用功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模 2022 年將達(dá)到 85 億 美元，2015~2022 年復(fù)合增長(zhǎng)率為 7.5%。中國大陸市場(chǎng)需求占全球 份額約 43%，但國內(nèi)廠商自給率卻只有約 5%，進(jìn)口替代空間巨大。中美貿(mào)易新形勢(shì)，政策支持助力半導(dǎo)體國產(chǎn)廠商迎來發(fā)展良機(jī)

美國技術(shù)管制打壓我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，中國作為工業(yè)和交通大國， 功率器件和電源管理芯片需求旺盛，半導(dǎo)體自主可控涉及經(jīng)濟(jì)和戰(zhàn)略 安全，政府政策和產(chǎn)業(yè)基金大力支持，國產(chǎn)廠商迎來發(fā)展良機(jī)。生產(chǎn)端 政府聯(lián)合投資克服制造業(yè)高投資門檻，客戶端半導(dǎo)體器件和芯片國產(chǎn) 化意愿明顯，產(chǎn)品驗(yàn)證門檻降低。

國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈逐步完善，靜待技術(shù)迭代

功率器件和芯片產(chǎn)品多樣，定制化程度高，研發(fā)投入門檻相對(duì)低，功率 半導(dǎo)體對(duì)制程敏感度不及數(shù)字電路，國際主流產(chǎn)線依舊為 6 寸和 8 寸 產(chǎn)線，這也為國內(nèi)企業(yè)進(jìn)入該領(lǐng)域創(chuàng)造了合適的條件，功率半導(dǎo)體是 國產(chǎn)半導(dǎo)體比較好的突破口。目前國內(nèi)士蘭微等企業(yè)在功率 IC 領(lǐng)域已 取得一定成就，相應(yīng)模塊產(chǎn)品已導(dǎo)入白電產(chǎn)業(yè)鏈。捷捷微電、臺(tái)基股份 等在晶閘管領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了部分的進(jìn)口代替，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈已逐步完善，未 來國內(nèi)企業(yè)將伴隨市場(chǎng)需求進(jìn)行技術(shù)迭代，追趕國際領(lǐng)先企業(yè)。

報(bào)告摘要：

1. 功率半導(dǎo)體是微電子領(lǐng)域的重要基礎(chǔ)器件

1.1功率半導(dǎo)體主要用作電子器件中的開關(guān)及整流器

功率半導(dǎo)體是硅、砷化鎵、氮化硅等半導(dǎo)體材料，經(jīng)歷沉積、清除、布線以及電學(xué)屬 性的調(diào)整等工藝后，所得到的電學(xué)器件。功率半導(dǎo)體的應(yīng)用十分廣泛:從幾十毫瓦的 耳機(jī)放大系統(tǒng)，到上千兆瓦的高壓直流傳輸過程;從儲(chǔ)能、家電，到 IT 產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò) 通訊，只要是涉及電的領(lǐng)域，都有著它的影子。

1.2功率半導(dǎo)體歷史悠久，產(chǎn)品類型豐富多樣

功率半導(dǎo)體發(fā)展歷史悠久，最早可以追溯到 1904 年法國實(shí)驗(yàn)者 A.Nodon 發(fā)明的第 一個(gè)用于電源電路的半導(dǎo)體器件——電解整流器。這深受早期無線電實(shí)驗(yàn)者的歡迎。 而隨著科技的發(fā)展，功率半導(dǎo)體在電子領(lǐng)域的重要性逐漸凸顯出來，至今，功率半導(dǎo) 體已經(jīng)成為電子電力行業(yè)的核心。

功率半導(dǎo)體用處廣泛、種類繁多，而在銷售市場(chǎng)中，分立器件主要以功率二極管、晶 閘管、功率 MOSFET和 IGBT 模組為占比最大的四個(gè)方面。此外，模擬集成電路中 的功率集成電路也是功率半導(dǎo)體的重要組成之一。

1.2.1功率二極管為兩極元器件，應(yīng)用范圍廣泛

二極管是一種不可控的兩極元件，由于其有電流電壓曲線不對(duì)稱，因此一般被用作交 流變直流的整流器件以及電路方向電流控制等方面。

二極管存在著齊納效應(yīng)與雪崩效應(yīng)。齊納效應(yīng)為高反向電壓將硅原子的電子拽出，稱 為自由帶電離子，導(dǎo)致電流上升很陡，反應(yīng)在二極管上即為相對(duì)較低的反向擊穿電壓。 雪崩效應(yīng)則為在反向電壓很大時(shí)，反向的載流子能量很高，撞在硅原子上使之電離， 產(chǎn)生出大量的電子，導(dǎo)致反向電流迅速增大。

二極管產(chǎn)品類型很多，按用途分可以分為普通二極管和特殊二極管。普通二極管包括 檢波二極管、整流二極管、開關(guān)二極管和穩(wěn)壓二極管;特殊工極管包括變?nèi)荻O管、 光電二極管和發(fā)光二極管。

1.2.2晶閘管為半可控器件，可用于高電壓和大電流環(huán)境

晶閘管是一個(gè)半可控的半導(dǎo)體元件，能控制打開，無法控制關(guān)閉。被廣泛應(yīng)用于可控 整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制 大電流的設(shè)備。

晶閘管的其派生器件有:快速晶閘管，可關(guān)斷晶閘管(GT0)，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶 閘管等。晶閘管往往有著閂鎖效應(yīng)，閂鎖效應(yīng)(latch – up)就是有一個(gè)強(qiáng)電場(chǎng)施加在器 件結(jié)構(gòu)中的氧化物薄膜上，則該氧化物薄膜就會(huì)因介質(zhì)擊穿而損壞。很細(xì)的金屬化跡 線會(huì)由于大電流而損壞，并會(huì)由于浪涌電流造成的過熱而形成開路。

1.2.3功率 MOSFET 作為全控型器件下游應(yīng)用市場(chǎng)最大

功率 MOSFET 的特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，需要的驅(qū)動(dòng)功 率小、開關(guān)速度快、工作頻率高，是制造AC-DC開關(guān)轉(zhuǎn)換器(將交流電壓轉(zhuǎn)換成直流 電壓) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器(將一個(gè)直流電壓等級(jí)轉(zhuǎn)換成另一個(gè)電壓等級(jí)) 的必要器件。

功率 MOSFET 模組的等效電路包含三個(gè)電容、兩個(gè)電阻，一個(gè)理想 MOSFET，一 個(gè) NPN 晶體管以及一個(gè)寄生 NPN 晶體管基極-發(fā)射極之間的電阻。而這個(gè)寄生電阻 與其寄生的 NPN 晶體管的基極-發(fā)射極部分構(gòu)成了逆向二極管，使得功率 MOSFET 具有反向?qū)ㄐ浴?/p>

1.2.4 IGBT 作為高壓功率器件正在快速發(fā)展

IGBT絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)一般指分立器件或 者IGBT模組。IGBT 分立器件是由三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, IGBT 兼有 MOSFET 和 GTR 這兩種器件的有點(diǎn)，輸入阻 抗高、導(dǎo)通壓降低和驅(qū)動(dòng)功率小。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系 統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

IGBT模塊是由 IGBT 與 FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模 塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、耐壓高、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。IGBT 是能 源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷谲壍澜煌ā⒅悄茈娋W(wǎng)、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng) 用極廣。

2015年國際 IGBT 市場(chǎng)規(guī)模約為 48 億美元，預(yù)計(jì)到 2020 年市場(chǎng)規(guī)模可以達(dá)到 80 億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率約 10%。2014 年國內(nèi) IGBT 銷售額是 88.7 億元，約占全球 市場(chǎng)的 1∕3。預(yù)計(jì) 2020 年中國 IGBT 市場(chǎng)規(guī)模將超 200 億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率約為 15%。國外企業(yè)如英飛凌、 ABB、三菱等廠商研發(fā)的 IGBT 器件產(chǎn)品規(guī)格涵蓋電壓 600V-6500V，電流 2A-3600A，已形成完善的 IGBT 產(chǎn)品系列。

功率器件種類較多，根據(jù)不同的器件特性分別應(yīng)用于不同的應(yīng)用領(lǐng)域。二極管晶閘管 等傳統(tǒng)器件雖然是不可控或半可控器件，但優(yōu)點(diǎn)是成本低，生產(chǎn)工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，在大 量中低端領(lǐng)域還是大量使用。IGBT 等器件更多應(yīng)用于高壓高可靠性領(lǐng)域，器件結(jié)構(gòu) 相對(duì)復(fù)雜并且生產(chǎn)工藝門檻高，成本相對(duì)較高，在軌道交通、汽車等領(lǐng)域廣泛使用。

由于電路越來越復(fù)雜、越來越具有多樣性，因此功率器件的種類也隨之不斷的多元化。 除去上述四種功率分立器件外，還有很多其他的功率半導(dǎo)體。功率半導(dǎo)體器件在中國 大陸的工業(yè)、消費(fèi)、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用，具有很高的戰(zhàn)略地位，因此中國功 率半導(dǎo)體自主可控之路勢(shì)在必行。

由于電路越來越復(fù)雜、越來越具有多樣性，因此功率器件的種類也隨之不斷的多元化。 除去上述四種功率分立器件外，還有很多其他的功率半導(dǎo)體。功率半導(dǎo)體器件在中國 大陸的工業(yè)、消費(fèi)、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用，具有很高的戰(zhàn)略地位，因此中國功 率半導(dǎo)體自主可控之路勢(shì)在必行。

1.3功率半導(dǎo)體種類繁多，有多種分類方式

功率半導(dǎo)體種類繁多、用途廣泛，因此從不同角度出發(fā)、根據(jù)不同用途，對(duì)功率半導(dǎo) 體有著不同的分類方法。一般而言，功率半導(dǎo)體可以從五個(gè)角度去分類:控制類型、 驅(qū)動(dòng)方式、載流子類型、材料特性以及半導(dǎo)體的集成度。

1.3.1控制類型-不可控、半可控、全控型

控制類型是通過判斷該功率半導(dǎo)體是否主動(dòng)可控制其打開、關(guān)閉來進(jìn)行分類，一般情 況下分為三類:不可控，半可控以及全控型。

1.3.2驅(qū)動(dòng)方式-電流、電壓、光學(xué)

驅(qū)動(dòng)方式是根據(jù)該功率器件受何種動(dòng)力因素而打開或者關(guān)閉，常見分為:電流驅(qū)動(dòng)、 電壓驅(qū)動(dòng)與光控。

1.3.3載流子類型-單極型、多極型、混合型

載流子類型分類通常僅僅用在對(duì)功率器件運(yùn)作機(jī)理的理論分析上，在市場(chǎng)上極少采 取此種分類方式。

1.3.4材料特性-從單晶材料過渡到化合物半導(dǎo)體材料

制作功率半導(dǎo)體器件的材料必須擁有一個(gè)足夠大的禁帶寬度，以確保在較高的工作 溫度下，本征載流子濃度也不會(huì)超過輕摻雜區(qū)的濃度，避免器件紊亂。而隨著禁帶寬 度的增加，臨界擊穿電場(chǎng)也會(huì)增高，器件可以做到更高的耐壓。當(dāng)然，過大的禁帶寬 度會(huì)導(dǎo)致雜質(zhì)電離更困難，使自建電勢(shì)和閾值電壓增高。除去物理性質(zhì)，制作功率半 導(dǎo)體器件的材料還被要求化學(xué)狀態(tài)穩(wěn)定。在功率半導(dǎo)體發(fā)展歷史上，功率半導(dǎo)體可以 分為三代。

第三代半導(dǎo)體材料為未來發(fā)展的重點(diǎn)，但由于當(dāng)前技術(shù)相對(duì)不是很成熟和高成本原因?qū)е聭?yīng)用還并不普及，市場(chǎng)上主流的還是以硅為材料的功率半導(dǎo)體器件。

1.3.5 集成度-從分立器件發(fā)展至功率集成 IC

按照集成度可以分為功率半導(dǎo)體分立型器件、功率模組和功率集成電路三類。

功率分立器件由功率二極管、晶閘管等器件組成，為電路中最基本的元件。

功率模組往往為實(shí)現(xiàn)特定功能(如開關(guān)、電路保護(hù)等)而將一些分立器件的芯片組合 并重新組合絕緣得到。若將分立器件簡(jiǎn)單集中在一起，由于每個(gè)元件的散熱片是同半 導(dǎo)體器件的一個(gè)主要端口相連接，因此必須相互隔離并用導(dǎo)線連接。這樣在材料、體 積、生產(chǎn)工時(shí)等方面都是十分浪費(fèi)的。

功率集成電路，是模擬集成電路的主要構(gòu)成，主要是指由電容、晶體管、其他功率分 立器件等組成的模擬電路集成在一起用來處理模擬信號(hào)的集成電路。功率集成電路的主要構(gòu)成電路有:放大器、濾波器、反饋電路、基準(zhǔn)源電路、開關(guān)電容電路等。功 率集成電路，有著體積小、重量輕、引出線和焊接點(diǎn)少、壽命長(zhǎng)、可靠性高、性能好、 成本低、便于大規(guī)模量產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。

1.4功率半導(dǎo)體通過晶圓制造獲得成品

功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)過程大致上可以分為:材料晶圓的制作，功率器件芯片的生產(chǎn)，對(duì)芯片的封裝以及最后的下游應(yīng)用這四個(gè)階段。

1.5歐美日企業(yè)占據(jù)全球絕對(duì)主導(dǎo)位置

功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，市場(chǎng)規(guī)模高達(dá)數(shù)百億美元。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2018 年全球功率半導(dǎo)體分立的器件市場(chǎng)規(guī)模為363 億美元，預(yù)計(jì)到2022年達(dá)到426 億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率為5.43%。

根據(jù)IHS 統(tǒng)計(jì)，2017 年英飛凌占據(jù)全球市場(chǎng)的18.5%，約為第二名安森美公司的兩倍;此外，全球前五的企業(yè)均為歐日美的企業(yè)，加起來約占據(jù)全球份額的50%。前十的企業(yè)中也沒有大陸地區(qū)的企業(yè)，目前在功率半導(dǎo)體行業(yè)中國企業(yè)還有很大的追趕空間。

中國大陸占有全球份額的 43%，且隨著國內(nèi)環(huán)保意識(shí)的逐漸增強(qiáng)，對(duì)功率半導(dǎo)體器 件的需也會(huì)逐漸增大。但是，中國大陸在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域幾乎處于全產(chǎn)業(yè)鏈落后 的被動(dòng)局面，包含國際大廠產(chǎn)能在內(nèi)的國內(nèi)市場(chǎng)自給率大約只有 10%，而由本土企 業(yè)貢獻(xiàn)的份額甚至只有 5%，這其中還包括了功率二極管等本土最具優(yōu)勢(shì)的中低端器 件，其余產(chǎn)品供應(yīng)主要依賴進(jìn)口實(shí)現(xiàn)。其主要原因，在于中國大陸企業(yè)受起步晚、技 術(shù)水平較低、產(chǎn)品線不齊全、企業(yè)規(guī)模小等因素，還處于追趕狀態(tài)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于老牌 企業(yè)。

但目前本土企業(yè)也發(fā)展迅速，已基本完成了產(chǎn)業(yè)鏈的布局，且在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域呈現(xiàn) 展現(xiàn)多點(diǎn)開花的良好形勢(shì)。

2018年，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)對(duì)國內(nèi)的半導(dǎo)體廠商進(jìn)行了評(píng)定，評(píng)選出了大陸十大 半導(dǎo)體功率器件廠商，這些廠商均以功率半導(dǎo)體器件為主營業(yè)務(wù)，且各有特色，如華 微電子的 IGBT 生產(chǎn)線、揚(yáng)杰科技的“MCC”雙品牌等。

除此之外，還有許多公司因其主要產(chǎn)品并非功率器件而未被收入該榜單，但實(shí)際上在 功率器件領(lǐng)域也已經(jīng)有很大的發(fā)展。杭州士蘭微在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域已經(jīng)形成分立器 件、功率 IC 等體系化產(chǎn)品構(gòu)成;捷捷微電打造成國內(nèi)晶閘管領(lǐng)域的龍頭;三安光電 則在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域積極布局。2018 年底，聞泰科技收購安世半導(dǎo)體，成為國內(nèi) 標(biāo)準(zhǔn)器件和功率半導(dǎo)體的龍頭，這極大地增強(qiáng)了該公司在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。

1.5.1 MOSFET 市場(chǎng)需求最大，依舊海外廠商占據(jù)主導(dǎo)

MOSFET是功率分立器件最大市場(chǎng)。根據(jù) Yole 預(yù)測(cè)，在 2017 年，全球 MOSFET 市場(chǎng)規(guī)模為 58.35 億美元，占總市場(chǎng)的 35.4%，功率 MOSFET 下游應(yīng)用包含計(jì)算 機(jī)、消費(fèi)電子等行業(yè)，因此在未來幾年內(nèi)，功率 MOSFET 將依舊保持著增長(zhǎng)的勢(shì)頭。 但在全球競(jìng)爭(zhēng)格局之中，功率 MOSFET 幾乎集中在國際大廠之中，英飛凌、安森美 和瑞薩加起來占據(jù)了全球市場(chǎng)的僅 50%。

1.5.2 IGBT 市場(chǎng)成長(zhǎng)迅速，國內(nèi)外差距巨大

作為新能源汽車、高鐵動(dòng)車、智能電網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)不可缺少的一部分，IGBT 在上世 紀(jì)八十年代被設(shè)計(jì)出來之后，就開始了飛速發(fā)展的道路，并逐步成為功率半導(dǎo)體分立 器件的核心所在。

根據(jù) Yole 預(yù)測(cè)，在 2018 年，全球 IGBT 市場(chǎng)(包括 IGBT 與 IGBT 模組)規(guī)模約為 48.97 億美元，占功率半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)的 25%，此外，由于 IGBT 是新能源車必 不可缺的半導(dǎo)體器件，下游依舊保持著強(qiáng)勁的增長(zhǎng)。但在全球競(jìng)爭(zhēng)市場(chǎng)之中，IGBT 是英飛凌、三菱、富士電機(jī)等國際廠商的天下，此三家就已經(jīng)占據(jù)全部市場(chǎng)份額的 50% 以上。

而在大陸地區(qū)，數(shù)據(jù)顯示 2017 年中國 IGBT 的需求量為 6680 萬只，而產(chǎn)量卻僅有 820 萬只，絕大多數(shù)依靠著進(jìn)口。而 IGBT 又是軌道交通、智能電網(wǎng)等中國重點(diǎn)發(fā)展 行業(yè)不可缺少的一部分，因此在未來這個(gè)缺口會(huì)進(jìn)一步的增大。

1.5.3功率集成 IC 領(lǐng)域歐美企業(yè)領(lǐng)先全球

電子電力系統(tǒng)均離不開電源供應(yīng)，因此電源管理芯片(包括標(biāo)準(zhǔn)的功率 IC 以及模擬 ASSP 用途的功率 IC)也是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的中流砥柱，市場(chǎng)規(guī)模龐大。根據(jù)IHS的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2017 年全球功率 IC 市場(chǎng)的總市場(chǎng)規(guī)模為 236 億美元，其中德州儀器 獨(dú)占鰲頭，擁有 15.9%的市占率，高通以 8.1%排名第二，英飛凌 7.6%排第三。前 十均為歐日美大型企業(yè)。而在中國對(duì)功率 IC 的需求同樣巨大，根據(jù)集邦咨詢最新數(shù) 據(jù)，2018 年中國大陸地區(qū)電源管理 IC 市場(chǎng)規(guī)模為 717 億元人民幣，較 2017 年同比 增長(zhǎng) 8%。市場(chǎng)研調(diào)機(jī)構(gòu) TMR 預(yù)估，2013~2019 年全球電源管理 IC 市場(chǎng)年復(fù)合增 長(zhǎng)率(CAGR)將達(dá) 6.1%。2012 年全球電源管理 IC 市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 299 億美元，到 2019 年預(yù)估規(guī)模將成長(zhǎng)到 460 億美元。

功率 IC 作為模擬 IC 的主要構(gòu)成部分，其充分體現(xiàn)了模擬集成電路行業(yè)的四個(gè)特點(diǎn): 從需求端角度，下游需求分散，產(chǎn)品生命周期較長(zhǎng);從供給端角度，偏向于成熟和特 種工藝，目前以八寸產(chǎn)線為主，部分國際大廠已經(jīng)實(shí)現(xiàn) 12 寸功率產(chǎn)線的量產(chǎn);從競(jìng) 爭(zhēng)端角度，競(jìng)爭(zhēng)格局分散，廠商之間競(jìng)爭(zhēng)壓力小;從技術(shù)端角度，行業(yè)技術(shù)壁壘較高， 重經(jīng)驗(yàn)以人為本。

2.能源管理時(shí)代下游行業(yè)蓬勃發(fā)展帶來旺盛需求

功率器件是進(jìn)行功率處理，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件。典型的功率 處理包括變頻、變壓、變流、功率管理等，所以功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè)。 目前功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和 4C 產(chǎn)業(yè)(計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)類 電子產(chǎn)品和汽車)擴(kuò)展到新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等新領(lǐng)域。Gartner 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù) 顯示汽車行業(yè)越來越成為下游主要需求方。隨著功率半導(dǎo)體器件性能的提高以及各 產(chǎn)品追求低功耗和高能效比，光伏、智能電網(wǎng)、汽車電子、5G 通訊等熱點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域 將在推動(dòng)功率半導(dǎo)體行業(yè)穩(wěn)定發(fā)展的同時(shí)，進(jìn)一步優(yōu)化下游市場(chǎng)結(jié)構(gòu)。

與國際市場(chǎng)相比，中國汽車電子的應(yīng)用比例小于國際市場(chǎng)，但隨著新能源汽車在國內(nèi) 的逐漸推廣以及配套充電站的普及，汽車電子有望成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的突破口。

2.1新能源汽車高速發(fā)展帶動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體需求增長(zhǎng)迅猛

功率半導(dǎo)體特別的是 MOSFET 和 IGBT，是汽車電子的核心。無論是在汽車引擎中 的壓力傳感器，或者驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的轉(zhuǎn)向、變速、制動(dòng)，抑或是車燈、儀表盤等儀器的 運(yùn)作控制，都離不開半導(dǎo)體功率器件。

相對(duì)傳統(tǒng)燃油車，新能源汽車功率半導(dǎo)體使用量更大。根據(jù) Strategy Analytics 的分 析，在傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)車上，功率半導(dǎo)體價(jià)值為$71，占據(jù)車用半導(dǎo)體總價(jià)值的 21%;而 對(duì)于混合動(dòng)力車，則在傳統(tǒng)內(nèi)燃汽車基礎(chǔ)上新增的功率半導(dǎo)體價(jià)值為$354，占據(jù)新 增總價(jià)值的 76%;在純電動(dòng)車上，功率半導(dǎo)體價(jià)值為$387，占據(jù)車用半導(dǎo)體總價(jià)值 的 55%。

2.1.1政策扶植疊加汽車智能化，新能源車市場(chǎng)需求大幅擴(kuò)大

新能源汽車消費(fèi)增長(zhǎng)迅速，帶動(dòng)汽車電子消費(fèi)。在 2007 年，國內(nèi)新能源汽車的總生 產(chǎn)量為 2,179 輛，而在 2017 年，國內(nèi)生產(chǎn)量已經(jīng)達(dá)到了 819,991 輛，年復(fù)合增長(zhǎng)率 達(dá)到了驚人的 93%，且同比增長(zhǎng)均穩(wěn)定在 50%以上。而新能源汽車銷量則從 2011 年的 15,736 輛增長(zhǎng)到了 2018 年的 6,185,699 輛，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 111%。

2.1.2充電樁市場(chǎng)受益于電動(dòng)車消費(fèi)增長(zhǎng)快速

作為新能源汽車不可缺少的配套措施，汽車充電樁也是對(duì)功率半導(dǎo)體增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)力 之一。目前汽車充電樁的核心功率模塊有兩種:一種是采用 IGBT 芯片;另一種為采 用 MOSFET 芯片。國家能源局在《電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)規(guī)劃》草案中提出， 到 2020 年國內(nèi)充換電站數(shù)量將達(dá)到 1.2 萬個(gè)，充電樁達(dá)到 450 萬個(gè)。中國產(chǎn)業(yè)信息 研究院數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)到 2020 年國內(nèi)充電樁功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望超過 35 億元。

2.1.3應(yīng)用需求驅(qū)動(dòng)碳化硅等器件良好發(fā)展前景

寬禁帶功率半導(dǎo)體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視，其中碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢(shì)， 成為支撐信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國防等領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)新材料。

GaN功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)應(yīng)用領(lǐng)域偏向中低電壓范圍，集中在 1000V 以下。在射頻通 信方面，GaN 技術(shù)正助力 5G 通信的發(fā)展。5G 技術(shù)不僅需要超帶寬，更需要高速接 入，低接入時(shí)延，低功耗和高可靠性，以支持海量設(shè)備的互聯(lián)。GaN 功率器件可以 提供更高的功率密度、更高效率和更低功耗。

SiC功率半導(dǎo)體在 1000V 以上的中高電壓范圍內(nèi)更具優(yōu)勢(shì)。在滿足同等性能要求時(shí)，采用具有高溫、高壓、高頻優(yōu)勢(shì)的碳化硅材料制作的功率器件，可以比硅材料的更薄、 更輕、更小巧。而碳化硅的高溫、高壓、高頻的優(yōu)勢(shì)恰好滿足新能源汽車的應(yīng)用需求。

相較于硅器件，SiC 器件在新能源汽車上的使用有三個(gè)優(yōu)點(diǎn):

第一， 在相同電池包的情況下能帶來里程的提升;

第二， 減小電動(dòng)車的重量;

第三， 提高車的功率密度。

因此隨著新能源車的發(fā)展，碳化硅器件性能上的優(yōu)勢(shì)將推進(jìn)碳化硅器件市場(chǎng)規(guī)模的 擴(kuò)張，也將促使更多的功率半導(dǎo)體企業(yè)將目光聚焦在碳化硅器件上。

隨著 5G 建設(shè)和逐步商用，GaN 市場(chǎng)迎來高速發(fā)展。Yole 預(yù)計(jì)到 2023 年射頻 GaN 的市場(chǎng)規(guī)模將大幅擴(kuò)張 3.4 倍達(dá) 13 億美元，2017~2023 的年復(fù)合平均成長(zhǎng)率 CAGR 為 22.9%。2016 年全球 GaN 器件市場(chǎng)規(guī)模 165 億美元，到 2023 年將達(dá)到 224.7 億 美元。同時(shí) Yole 預(yù)計(jì)全球 SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將從 2017 年的 3.02 億美元成長(zhǎng)至 2023 年的 13.99 億美元，2017~2023 年的市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)為 29%， 推動(dòng)力來自混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電力和光伏(PV)逆變器等方面的需求。

2.2制造業(yè)升級(jí)，工業(yè)自動(dòng)化促進(jìn)功率半導(dǎo)體需求穩(wěn)步增長(zhǎng)

工業(yè)領(lǐng)域是功率半導(dǎo)體的支柱領(lǐng)域之一，擁有著龐大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。根據(jù)中商 產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù)，全球的工業(yè)功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模在 2017 年為 98 億美元，并 將在 2020年達(dá)到 125 億美元，且增長(zhǎng)速度十分穩(wěn)定，均維持在 8%左右。功率半導(dǎo) 體在工業(yè)領(lǐng)域，主要發(fā)揮著控制電壓、電流和變頻的作用。

2013年德國提出了工業(yè) 4.0 的高科技計(jì)劃，也被稱為第四次工業(yè)革命。其核心在于 是智能集成感控系統(tǒng)，可以主動(dòng)排除生產(chǎn)障礙，此外在中國制造升級(jí)以及美國制造業(yè) 振興計(jì)劃中，也都重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)了這一點(diǎn)。可見高度自動(dòng)化以及智能化將會(huì)是現(xiàn)在以及未 來世界工業(yè)發(fā)展的核心所在。而功率半導(dǎo)體則是實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化中不可缺少的一塊，從控 制到加工，都離不開安全、高效的功率IC以及傳感器。因而世界范圍內(nèi)政策上的扶 持將會(huì)增大對(duì)功率半導(dǎo)體的需求，從而擴(kuò)大功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)。

2.3家居市場(chǎng)變頻化智能化提升功率半導(dǎo)體需求

消費(fèi)類電子也是功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)的重要領(lǐng)域。除了傳統(tǒng)手機(jī)產(chǎn)品，家用電器產(chǎn)品 如電視機(jī)、電腦、冰箱、空調(diào)、照明等均開始步入節(jié)能降耗的時(shí)代，變頻家電以及智 能家居則是當(dāng)下最為熱門的概念。

2.3.1變頻家電更優(yōu)能耗，市場(chǎng)快速增長(zhǎng)

相對(duì)于傳統(tǒng)的家電產(chǎn)品，變頻家電產(chǎn)品在能效、性能及智能控制等方面有明顯的先 天優(yōu)勢(shì)，主要應(yīng)用于空調(diào)、微波爐、冰箱、熱水器等耗電較大的電器。例如，變頻冰 箱其凍能力比普通冰箱提高 20%，節(jié)能比普通冰箱提高 40%左右，而噪音則降低了 2~3dB。

變頻家電的市場(chǎng)前景廣闊。根據(jù) IHS 的數(shù)據(jù)，2017 年全球家用電器銷量約 7.11 億 臺(tái)，其中可變頻家電數(shù)量為 2.44 億臺(tái)，占比為 34%。預(yù)計(jì)到 2022 年可變頻家電銷 售量將達(dá)到 5.85 億臺(tái)，占比達(dá)到 65%。

英飛凌的數(shù)據(jù)顯示從不可變頻家電到變頻家電，單位家電中的半導(dǎo)體價(jià)值從$0.79 增 長(zhǎng)到$10.67，且絕大部分的增加價(jià)值均屬于功率半導(dǎo)體，因此全球家用電器變頻化也 將推動(dòng)家電領(lǐng)域功率器件的發(fā)展。

2.3.2智能家居逐步普及激發(fā)功率半導(dǎo)體系統(tǒng)化解決方案需求

智能家居是物聯(lián)網(wǎng)的朝陽產(chǎn)業(yè)，它通過物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)將家中的各種設(shè)備(如音視頻設(shè) 備、照明系統(tǒng)、窗簾控制、空調(diào)控制、安防系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)家電等)連接到一起，提供家 電控制、照明控制、電話遠(yuǎn)程控制、室內(nèi)外遙控、防盜報(bào)警、環(huán)境監(jiān)測(cè)、暖通控制、 紅外轉(zhuǎn)發(fā)等多種功能和手段。與普通家居相比，智能家居不僅具有傳統(tǒng)的居住功能， 兼?zhèn)浣ㄖ⒕W(wǎng)絡(luò)通信、信息家電、設(shè)備自動(dòng)化，提供全方位的信息交互功能。但要做 到“智能”，就需要配備合適的功率半導(dǎo)體解決方案的設(shè)備和系統(tǒng)，它們使得智能家 居的各個(gè)器件能夠準(zhǔn)確的收集實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)并做出及時(shí)相應(yīng)。

根據(jù) ABI 市場(chǎng)數(shù)據(jù)的研究預(yù)測(cè)，全球智能家居市場(chǎng)規(guī)模將從 2016 年的$300.2 億美 元增長(zhǎng)到 2022 年的 1254 億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到 25%。而在中國，智能家居的 滲透率僅僅占據(jù) 0.1%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于美國(5.8%)等發(fā)達(dá)國家。但隨著經(jīng)濟(jì)的增長(zhǎng)以 及國民對(duì)生活質(zhì)量要求的不斷提高，智能家居在中國將會(huì)獲得迅速發(fā)展。根據(jù)中國產(chǎn) 業(yè)信息網(wǎng)的分析，預(yù)計(jì)在 2020年，中國的智能家居滲透率將達(dá)到 0.5%，且整體的 總市場(chǎng)規(guī)模也將超過千億規(guī)模。

2.4 5G 通訊建設(shè)和設(shè)備升級(jí)促進(jìn)大量功率半導(dǎo)體需求

通訊行業(yè)也是功率半導(dǎo)體行業(yè)的一大終端市場(chǎng)，常規(guī)應(yīng)用包括信號(hào)基站、交換機(jī)、光端機(jī)、路由器等。其中信號(hào)基站占據(jù)半壁江山。

5G 通信對(duì)功率半導(dǎo)體的刺激作用主要在兩個(gè)方面，一方面是 5G 是高流量數(shù)據(jù)處理， 5G 基站能耗是 4G 基站的 3 倍，本身 5G 時(shí)代的基站建設(shè)帶來更多的電源管理需求， 從而刺激功率半導(dǎo)體的需求;另一方面是 5G 時(shí)代相應(yīng)消費(fèi)電子設(shè)備如手機(jī)對(duì)功率 半導(dǎo)體的需求有顯著增長(zhǎng)，PA 單機(jī)數(shù)量增加會(huì)促進(jìn)砷化鎵功率器件需求，5G 手機(jī) 端大數(shù)據(jù)流也將推動(dòng)手機(jī)電源管理 IC 的需求。5G 的核心技術(shù) Massive MIMO 中， 對(duì)由功率 MOSFET 構(gòu)成的射頻器件的需求量大大提升。據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息研究院的數(shù) 據(jù)，通訊功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將從2017年的 57.45 億美元上升到 2021 年的 70.81 億美 元。增速也從 3.38%增長(zhǎng)至 7.35%。當(dāng)前 5G 正處于建設(shè)階段并將逐步商用，相較 于 4G，數(shù)據(jù)傳輸速率和延遲均有著更高的要求，這強(qiáng)有力的推動(dòng)了通訊領(lǐng)域功率半 導(dǎo)體的發(fā)展。

2.5智能電網(wǎng)和光伏發(fā)電進(jìn)一步推動(dòng)功率半導(dǎo)體發(fā)展

功率半導(dǎo)體在新能源領(lǐng)域也有較多應(yīng)用，例如光伏發(fā)電和智能電網(wǎng)。具體而言，在發(fā) 電過程中，光伏電池板產(chǎn)生的電流產(chǎn)生的是直流電，而由于太陽光強(qiáng)弱會(huì)改變等特性， 其產(chǎn)生電流也往往不穩(wěn)定，無法直接輸送入電網(wǎng)之中，因此需要有 MOSFET、IGBT 參與的整流器、逆變器。而在電流傳輸過程之中，如采用高壓直流輸電，則需要大功 率晶閘管、大功率 IGBT等功率器件，而采用柔性交流輸電技術(shù)也需要大量使用 IGBT 等功率半導(dǎo)體器件。而在進(jìn)入家庭之前，需要將高壓電降至家用電壓，而功率半導(dǎo)體 更是電力電子變壓的關(guān)鍵器件。在風(fēng)力發(fā)電過程之中，同樣也大量的需要功率半導(dǎo)體。

智能電網(wǎng)具備可靠、自愈、經(jīng)濟(jì)、兼容、集成和安全等特點(diǎn)。基于半導(dǎo)體技術(shù)與電力 技術(shù)的融合，其增強(qiáng)了電網(wǎng)的靈活性和可靠性，是智能電網(wǎng)的先進(jìn)控制和調(diào)節(jié)手段。 傳統(tǒng)的機(jī)械式控制手段，響應(yīng)速度慢、不能頻繁動(dòng)作、控制功能離散，而大功率電力 電子器件作為智能電網(wǎng)的核心部件具有更強(qiáng)、更快、更有效的功能特點(diǎn)，最終使得智 能電網(wǎng)實(shí)現(xiàn)電力高效節(jié)能的傳輸。

傳統(tǒng)能源消耗對(duì)地球造成不可逆的破壞，因而新型能源越來越受重視，近些年新能源 市場(chǎng)發(fā)展快速，從全球范圍來看，風(fēng)能太陽能發(fā)電增長(zhǎng)都十分穩(wěn)定和快速。風(fēng)力發(fā)電 消費(fèi)量從 2008 年的 219.12 億萬瓦時(shí)增長(zhǎng)到了 2017 年的 1122.7 億萬瓦時(shí)，年復(fù)合 增長(zhǎng)率達(dá)到 17.7%;光伏發(fā)電從 2008 年的 12.22 億萬瓦時(shí)增長(zhǎng)到 2017 年的 442.64 億萬瓦時(shí)，年復(fù)合增長(zhǎng)率更是超過了 43%。

3.產(chǎn)業(yè)政策護(hù)航，功率半導(dǎo)體是中國“芯”的最好突破口

3.1發(fā)達(dá)國家對(duì)中國技術(shù)封鎖由來已久，中國芯自主可控勢(shì)在必行

《瓦森納爾協(xié)定》允許成員國在自愿的基礎(chǔ)上對(duì)各自的技術(shù)出口實(shí)施控制，但實(shí)際上 成員國在重要的技術(shù)出口決策上受到美國的影響，中國、伊朗、利比亞等均在這個(gè)被 限制的國家名單之中。在中美高技術(shù)合作方面，美國總是從其全球安全戰(zhàn)略考慮，并 以出口限制政策為借口，嚴(yán)格限制高技術(shù)向中國出口。美日歐等國家在高端技術(shù)領(lǐng) 域?qū)χ袊M(jìn)行了嚴(yán)密的封鎖，其中包括部分高技術(shù)功率半導(dǎo)體器件，例如抗輻照 MOSFET、寬帶大功率高頻氮化鎵功率管。

2019年，特朗普宣布將華為納入出口管制“實(shí)體名單”，美國將全方位對(duì)華為進(jìn)行技 術(shù)禁運(yùn)，根據(jù) 2018年底華為公布的 92 家核心供應(yīng)商名單，美國有 33 家，主要為半 導(dǎo)體和軟件公司;而隨著中美貿(mào)易戰(zhàn)的不斷升級(jí)，除去美國公司外，部分歐美公司受25%材料或技術(shù)來源于美國影響也被迫中止合作。核心芯片的缺失導(dǎo)致大陸半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)鏈面臨“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn)，關(guān)乎國家戰(zhàn)略安全，我國半導(dǎo)體國產(chǎn)化之路勢(shì)在必行， 對(duì)應(yīng)的國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)也將迎來發(fā)展良機(jī)。

3.1.1應(yīng)對(duì)技術(shù)封鎖，大陸積極出臺(tái)政策支持產(chǎn)業(yè)技術(shù)突破

為了打破西方國家的技術(shù)封鎖，中國陸續(xù)出臺(tái)了多項(xiàng)政策以支持半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。 早在 1988年，國家科技部組織實(shí)施了“火炬計(jì)劃”以充分發(fā)揮中國科技力量的優(yōu)勢(shì) 與潛力來促進(jìn)中國高新技術(shù)的發(fā)展，扶持了諸如“臺(tái)基股份”、“泰科天潤”等功率半 導(dǎo)體公司的發(fā)展壯大。2006 年國務(wù)院在《國家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(2006- 2020 年)》中提出《極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝》項(xiàng)目，因次序排在國家 重大裝箱所列16個(gè)重大專項(xiàng)第二位，在行業(yè)內(nèi)被稱為“02 專項(xiàng)”，其目標(biāo)為在集成 電路相關(guān)技術(shù)上縮小與世界先進(jìn)水平的差距。02 專項(xiàng)提出至今已經(jīng)有十多年，項(xiàng)目 支持了許多企業(yè)功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展

3.1.2集成電路大基金為產(chǎn)業(yè)公司注入新鮮血液，助力企業(yè)長(zhǎng)期發(fā)展

2014年 6 月，國務(wù)院頒布了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，提出設(shè)立國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(簡(jiǎn)稱“大基金”)，將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新技術(shù)研發(fā)提升至國家戰(zhàn)略高度。

大基金一期(2014.09 – 2018.05)已經(jīng)投資完畢，總投資額達(dá)到 1387 億元，累計(jì)決 策投資項(xiàng)目達(dá)到 70 個(gè)左右，涉及公司 52 家，投資范圍涵蓋集成電路產(chǎn)業(yè)上、下游 各個(gè)環(huán)節(jié)。其中，集成電路制造占 67%，設(shè)計(jì)占 17%，封測(cè)占 10%，裝備材料占 6%。受政策扶持影響，集成電路制造業(yè)進(jìn)入高速增長(zhǎng)階段。

大基金二期也已進(jìn)入募資階段，據(jù)主流媒體報(bào)道二期規(guī)模會(huì)超過一期，達(dá)到1500億 元以上，中國證券報(bào)稱二期募資將超過 1500 億人民幣;經(jīng)濟(jì)參考報(bào)預(yù)計(jì)二期目標(biāo)是 募集 1500億-2000 億元;華爾街日?qǐng)?bào)則預(yù)計(jì)二期募集將達(dá)474億美元，合計(jì)人民幣 約 3000 億。產(chǎn)業(yè)大基金政策的扶持將繼續(xù)為集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入強(qiáng)大的動(dòng)力。

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，大基金也進(jìn)行布局支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。2016 年 2 月 3 日，杭州士蘭 微發(fā)布公告，公司將與國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司共同投資建設(shè)8英 寸芯片生產(chǎn)線，共增資 8 億元，公司增資 2 億，大基金增資 6 億。此外三安光電控 股股東三安集團(tuán)與大基金簽訂了股份轉(zhuǎn)讓協(xié)議，截至 2019 年一季度，大基金持有三 安光電股份比例 11.3%，為公司第二大股東。大基金投資范圍涵蓋產(chǎn)業(yè)鏈上下游，功 率半導(dǎo)體作為其中一個(gè)重要分支也獲得產(chǎn)業(yè)基金的支持。

除國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金外，多個(gè)省市也相繼成立或準(zhǔn)備成立集成電路產(chǎn)業(yè)投 資基金，目前包括北京、上海、廣東等在內(nèi)的十幾個(gè)省市已成立專門扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)展的地方政府性基金。截止 2019 年 5 月，由大基金撬動(dòng)的地方集成電路產(chǎn)業(yè)投資 基金已達(dá) 5836 億元。

3.2功率半導(dǎo)體是國產(chǎn)芯片最好的突破口

3.2.1功率半導(dǎo)體潛在市場(chǎng)期待本土化

中國是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國，但各類半導(dǎo)體器件和芯片的自給率低。大陸地區(qū)雖 然已誕生數(shù)家功率半導(dǎo)體企業(yè)，但產(chǎn)品主要集中在中低端領(lǐng)域，各類功率半導(dǎo)體器件 和功率 IC的國產(chǎn)化率不足 50%。

盡管大陸功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求占全球市場(chǎng)約 40%，但國際巨頭占據(jù)國內(nèi)市場(chǎng)絕大部 分份額，全球市占率靠前的企業(yè)中并沒有來自本土。2017 年全球營收規(guī)模最大的功 率半導(dǎo)體廠商英飛凌在中國實(shí)現(xiàn)的營收是國內(nèi)半導(dǎo)體廠商華微電子的8倍。Yole 數(shù) 據(jù)顯示 2017 年大陸功率半導(dǎo)體產(chǎn)品國產(chǎn)化率均低于 50%，進(jìn)口可替代空間巨大。隨 著中興華為事件的持續(xù)，下游國產(chǎn)廠商對(duì)功率半導(dǎo)體國產(chǎn)替代意愿明顯，這將有利于 國產(chǎn)功率半導(dǎo)體廠商更容易進(jìn)入下游客戶的產(chǎn)品驗(yàn)證。

3.2.2新一代半導(dǎo)體材料初步發(fā)展，中國企業(yè)已開始布局

自從 1957 年第一個(gè)硅二極管問世以來，硅材料由于其穩(wěn)定的性質(zhì)、制取方法簡(jiǎn)單、 低廉的成本等因素，迅速成為功率半導(dǎo)體核心材料，但硅器件性能已經(jīng)逐漸接近其物 理極限。但隨著科技的發(fā)展，軌道交通、智能電網(wǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體提出了更高耐壓的需 求，工業(yè)控制、5G 設(shè)備則需要更高的響應(yīng)頻率。

第三代半導(dǎo)體材料可以滿足現(xiàn)代社會(huì)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要 求，且其擁有體積小、污染少、運(yùn)行損耗低等經(jīng)濟(jì)和環(huán)保效益，因此第三代半導(dǎo)體材 料正逐步成為發(fā)展的重心。當(dāng)前主流的第三代半導(dǎo)體材料為碳化硅與氮化硅，前者多 用于高壓場(chǎng)合如智能電網(wǎng)、軌道交通;后者則在高頻領(lǐng)域有更大的應(yīng)用(5G 等)。功 率半導(dǎo)體市場(chǎng)主體被國外公司主導(dǎo)，在新一代半導(dǎo)體材料上國內(nèi)公司也已取得一定 成就，正在積極追趕。

在碳化硅方面，國內(nèi)公司已經(jīng)逐步形成完整產(chǎn)業(yè)鏈，可以生產(chǎn)新一代的碳化硅功率半 導(dǎo)體;在氮化鎵方面，國內(nèi)目前諸多高等院校、研究機(jī)構(gòu)、公司廠商，已經(jīng)進(jìn)行了大 量研究，擁有大量的專利技術(shù);在氧化鋅方面，國內(nèi)已經(jīng)成功生長(zhǎng)出近兩英寸的單晶 片，處于世界領(lǐng)先水平。

作為第三代半導(dǎo)體的代表材料，碳化硅市場(chǎng)發(fā)展迅速。據(jù) IHS 數(shù)據(jù)，2017 年的碳化 硅市場(chǎng)總量為 3.99 億美元，而在 2023 年將會(huì)達(dá)到 16.44 億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá) 到 26.6%。其中，發(fā)展最大的是新能源汽車領(lǐng)域，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到了驚人的 81.4%。

從二十世紀(jì)九十年代開始，碳化硅材料開始進(jìn)入市場(chǎng)化。Cree 上世紀(jì)末就開始進(jìn)行 碳化硅的研發(fā)工作，并在世界各國申請(qǐng)了多項(xiàng)專利，造成技術(shù)上的壟斷，制約了其他 公司的發(fā)展;羅姆半導(dǎo)體從 2000 年開始對(duì)碳化硅技術(shù)的研究，并在 2009 年收購了 SiCrystal;英飛凌擁有雄厚的資本優(yōu)勢(shì)，這導(dǎo)致目前碳化硅市場(chǎng)主要由這三家把控。 而碳化硅晶圓市場(chǎng)，則更是幾乎由科瑞、羅姆半導(dǎo)體、II-VI 國際公司壟斷。

在國內(nèi)如揚(yáng)杰科技、中車、中電 13 所等公司及研究機(jī)構(gòu)也加大對(duì)碳化硅器件的研究， 逐步打破國外公司的封鎖，目前也已經(jīng)形成完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈——即上游襯底、中 游外延片、下游器件制造。

與碳化硅相比，氮化鎵適用于超高頻功率器件領(lǐng)域，氮化鎵器件最高頻率超過106 Hz，功率在1000W左右，開關(guān)速度是碳化硅的四倍。但氮化鎵目前尚處于起步階段，市場(chǎng)規(guī)模較小。但隨著5G 時(shí)代的到來、無線充電技術(shù)的興起、電網(wǎng)對(duì)輸電性能要求提高將給予氮化鎵功率器件市場(chǎng)爆炸式增長(zhǎng)。IHS 預(yù)測(cè)，在 2018 年，氮化鎵功率器件 市場(chǎng)規(guī)模約為 9000 萬美元，但在 2027 年時(shí)，將會(huì)突破 10 億美元。

氮化鎵處于剛剛起步狀態(tài)，市場(chǎng)格局尚不明朗。但可以根據(jù)研究機(jī)構(gòu)、公司擁有氮化 鎵的專利情況去預(yù)測(cè)。根據(jù) Knowmade的數(shù)據(jù)，截止 2018 年底，全球氮化鎵專利 族擁有數(shù)量最多的依舊是科瑞、東芝這些國際廠商，但中國企業(yè)也已占據(jù)一席之地: 中國中車排名第四，西南電子科技大學(xué)排名第八，前十五名中共有五家中國機(jī)構(gòu)。而 在納入了專利的技術(shù)含量、實(shí)用性等性能的考量之后，根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，中國企業(yè) 依舊占據(jù)一席之地。

除在專利技術(shù)上緊跟世界前沿外，從單晶襯底、晶圓代工，到外延片技術(shù)，在到功率 器件或者射頻器件的生產(chǎn)等環(huán)節(jié)，中國企業(yè)也已開始了全產(chǎn)業(yè)鏈的布局。

在產(chǎn)業(yè)鏈之中，國內(nèi)不少公司也掌握著較為獨(dú)到的技術(shù)，如納維科技是國際上為數(shù)不 多能批量提供 2英寸氮化鎵單晶產(chǎn)品的單位;士蘭微也即將具備 8 英寸氮化鎵功率 器件制造技術(shù);三安光電更是早早就布局新一代半導(dǎo)體材料技術(shù)，目前是國內(nèi)唯一一 家有能力批量制造氮化鎵外延和芯片的企業(yè)。

氮化鋁相較于氮化鎵擁有更高的熱導(dǎo)率，更容易實(shí)現(xiàn)半絕緣;而與碳化硅相比，則晶 格失配更小，有效提高器件性能。氧化鋅的激子束縛能比其他材料高很多，使得其在 室溫下更穩(wěn)定，且激發(fā)效率更高，是一種在國防建設(shè)與經(jīng)濟(jì)上都有重要應(yīng)用的多功能 晶體。氮化鋁、氧化鋅等第三代半導(dǎo)體材料目前還處于實(shí)驗(yàn)室階段，尚未進(jìn)入在市場(chǎng) 上形成完整產(chǎn)業(yè)鏈。

整體而言，第三代半導(dǎo)體技術(shù)尚處于發(fā)展?fàn)顟B(tài)，還有許多不足之處。以當(dāng)前運(yùn)用程度 最高的碳化硅為例，其技術(shù)上尚有幾個(gè)缺陷:

• 材料成本過高。目前碳化硅芯片的工藝不如硅成熟，主要為 4 英寸晶圓，材料的 利用率不高，而 Si 芯片的晶圓早已經(jīng)發(fā)展到 12 寸。具體而言，相同規(guī)格的產(chǎn)品， 碳化硅器件的整體價(jià)格達(dá)到硅器件的 5-6 倍。
• 高溫?fù)p耗過大。碳化硅器件雖然能在高溫下運(yùn)行，但其在高溫條件下產(chǎn)生的高功 率損耗很大程度上限制了其應(yīng)用，這是與器件開發(fā)之初的目的相違背的。
• 封裝技術(shù)滯后。目前碳化硅模塊所使用的封狀技術(shù)還是沿用硅模塊的設(shè)計(jì)，其可 靠性和壽命均無法滿足其工作溫度的要求。

3.2.3平衡產(chǎn)業(yè)鏈上下游，減少進(jìn)口依賴

據(jù) IBS 預(yù)測(cè)，人們對(duì)于電子化智能化生活要求的提高，未來中國半導(dǎo)體市場(chǎng)將進(jìn)一 步擴(kuò)大，預(yù)計(jì)在2027年可達(dá) 5000 億美元,市場(chǎng)前景可期將為國內(nèi)半導(dǎo)體公司帶來發(fā) 展機(jī)遇;但也面臨挑戰(zhàn)，半導(dǎo)體公司創(chuàng)新技術(shù)不足或?qū)⒚媾R淘汰。目前國內(nèi)半導(dǎo)體市 場(chǎng)規(guī)模占全球 41%，而本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)僅為 12%，其中包括產(chǎn)業(yè)鏈上游無晶圓 芯片設(shè)計(jì)銷售占全球 11%與產(chǎn)業(yè)鏈下游純晶圓代工廠的 7%。

我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈及不平衡，下游領(lǐng)域我國在應(yīng)用層面已十分成熟，但在中上游領(lǐng)域 遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后與國際先進(jìn)水平，這使得本國上游企業(yè)無法滿足下游領(lǐng)域旺盛的需求，只能 大量依賴進(jìn)口，依賴比例近 90%。突破技術(shù)難關(guān)，提升產(chǎn)品質(zhì)量，實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代將 一直是我國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展方向。

3.2.4國產(chǎn)廠商厚積薄發(fā)，逐步獲得階段性成果

2017年中國功率 MOSFET 市場(chǎng)規(guī)模 26.39 億美元，占據(jù)全球 67.12 億元市場(chǎng)規(guī)模 的 39.3%，中國功率 MOSFET 市場(chǎng)需求量與中國企業(yè)供給量存在巨大差距，中國功 率 MOSFET 行業(yè)存在進(jìn)口替代空間。

MOSFET領(lǐng)域國內(nèi)廠商在中低端領(lǐng)域逐步實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。大陸企業(yè)憑借較強(qiáng)成本控 制能力在中低端領(lǐng)域逐步打開市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。MOSFET 領(lǐng)域也有通過外延并 購方式獲得國際領(lǐng)先廠商先進(jìn)產(chǎn)能和技術(shù)的案例，如原恩智浦標(biāo)準(zhǔn)器件部門被中國 資本收購成為獨(dú)立公司安世半導(dǎo)體，現(xiàn)被上市公司聞泰科技收購。外延方式獲得先進(jìn) 廠商是實(shí)現(xiàn)大陸功率半導(dǎo)體技術(shù)飛躍發(fā)展的捷徑，但在新國際形勢(shì)下這種途徑無疑 變得越發(fā)困難，自主創(chuàng)新依舊是中國的必走之路。

IHS數(shù)據(jù)顯示，中國功率 MOSFET 供應(yīng)商排名依舊是英飛凌、安森美、瑞薩等國際 先進(jìn)廠商排名靠前，但也可以樂觀的看到國內(nèi)安世半導(dǎo)體、士蘭微等企業(yè)上榜，表明 國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品已得到市場(chǎng)認(rèn)可，尤其安世半導(dǎo)體作為前 NXP 旗下部門，已掌握高中 低端全系列分立器件和功率器件技術(shù)，未來將繼續(xù)引領(lǐng)國內(nèi)企業(yè)向國際廠商占領(lǐng)的 市場(chǎng)發(fā)起挑戰(zhàn)。

隨著國內(nèi)的持續(xù)研發(fā)投入，近幾年國內(nèi) IGBT 技術(shù)發(fā)展取得不錯(cuò)的進(jìn)步，國外廠商 壟斷狀況有所打破，已取得一定的成果:

• 中車集團(tuán)的西安永電電氣公司生產(chǎn)的 6500V/600A IGBT 功率模塊已成功下線， 使其成為全球第四個(gè)、國內(nèi)第一個(gè)能夠封裝 6500V 以上電壓等級(jí) IGBT 的廠家。
• 華潤上華和華虹宏力基于 6 英寸和 8 英寸的平面型和溝槽型1700V、2500V 和 3300V IGBT 芯片已進(jìn)入量產(chǎn)。
• 士蘭微電子推出了應(yīng)用于家用電磁爐的1350VRC-IGBT系列產(chǎn)品。士蘭微電子 的 600V 單管 IGBT 產(chǎn)品已經(jīng)在電焊機(jī)和 IPM 領(lǐng)域大規(guī)模應(yīng)用。
• 比亞迪發(fā)布車規(guī)級(jí) IGBT4.0，電流輸出能力較當(dāng)前市場(chǎng)主流的 IGBT 高 15%; 而在同等工況下，綜合損耗降低了約20%

IGBT領(lǐng)域市場(chǎng)端國內(nèi)廠商尚未形成規(guī)模。由于 IGBT 開發(fā)難度大，產(chǎn)品驗(yàn)證周期長(zhǎng)， 可靠性要求極高，產(chǎn)品替代周期蠻長(zhǎng)，作為起步晚的國內(nèi)企業(yè)還面臨技術(shù)和市場(chǎng)的雙 重困難。IHS數(shù)據(jù)顯示，中國功率 IGBT 供應(yīng)商排名前十幾位均為傳統(tǒng) IGBT 海外廠 商，尚沒有本土企業(yè)身影。隨著國內(nèi)企業(yè)技術(shù)的不斷突破，未來在市場(chǎng)端將逐步出現(xiàn) 本土企業(yè)身影。

3.2.5國際廠商供不應(yīng)求，國內(nèi)廠商接機(jī)攻入市場(chǎng)

受 8 寸硅晶圓缺貨價(jià)格上漲和國際廠商產(chǎn)能向汽車等高端產(chǎn)業(yè)切換等因素影響，導(dǎo) 致 2017 年以來 MOSFET、IGBT 等功率器件一直呈現(xiàn)緊缺上漲形勢(shì)，交期延長(zhǎng)。根 據(jù)富昌電子最新的市場(chǎng)行情分析報(bào)告顯示，低壓MOSFET、高壓 MOSFET 在 2019 年一季度仍然表現(xiàn)出交期延長(zhǎng)且價(jià)格上漲的趨勢(shì)。這也為國內(nèi)企業(yè)進(jìn)入市場(chǎng)創(chuàng)造良 好的機(jī)會(huì)，我們也看到士蘭微等企業(yè)2018年器件收入實(shí)現(xiàn) 28.5%的同比增長(zhǎng)。

3.3海外龍頭深耕細(xì)作長(zhǎng)期占據(jù)行業(yè)頂尖位置

目前在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)方面，由于國際廠商起步更早，并且通過行業(yè)間的相互整合， 已發(fā)展成規(guī)模體量巨大的國際巨頭，國際廠商制造水平遙遙領(lǐng)先，占據(jù)市場(chǎng)主要份 額。在功率分立器件以及功率模組方面，英飛凌連續(xù)十五年獨(dú)占鰲頭，占據(jù)著全球最 大市場(chǎng)份額，而在模擬和功率IC方面，德州儀器已連續(xù)三年排名該領(lǐng)域世界第一。

根據(jù) IHS 統(tǒng)計(jì)的調(diào)查顯示，在當(dāng)下市場(chǎng)前景較好的 IGBT 器件和 IGBT 模塊方面、市 占率前十均為國際廠商，英飛凌在該領(lǐng)域占據(jù) IGBT 領(lǐng)域統(tǒng)治地位，分別以 38.5% 和 32.6%的市場(chǎng)份額遙遙領(lǐng)先其他企業(yè)，是第二名富士電機(jī)的三倍以上。英飛凌憑 借優(yōu)秀的產(chǎn)品品質(zhì)充分享受中國軌道交通的發(fā)展紅利，中國的動(dòng)車組和高鐵就大量 使用的是英飛凌的 IGBT產(chǎn)品。一輛 8 節(jié)編組動(dòng)車包含 128 個(gè)英飛凌 IGBT 模塊為 整個(gè)列車提供了 10 兆瓦的功率，每輛列車共裝有 4 臺(tái)變流器，每臺(tái)搭載了 32 個(gè)英 飛凌 IGBT 模塊。每個(gè)模塊含 24 個(gè) IGBT 芯片和 12 個(gè)二極管芯片，每個(gè)模塊標(biāo)稱電 流 600 安，可承受 6500 伏高的電壓。

在 MOSFET 領(lǐng)域，英飛凌同樣占據(jù)世界領(lǐng)先位置，2017 年市場(chǎng)份額 26.3%，超過 第二名的 2 倍。公司還是全球汽車級(jí) MOSFET 的領(lǐng)導(dǎo)者，在 2015-2016 財(cái)年，公 司售出超過 15 億顆汽車級(jí) MOSFET 器件，全球每款新車平均配備了 18 顆英飛凌 MOSFET 器件，而在高端電動(dòng)汽車中數(shù)量則高達(dá) 250 顆。IPM 內(nèi)置的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電 路使系統(tǒng)硬件電路簡(jiǎn)單和可靠，IPM 模塊廣泛用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)，在 IPM 模塊方面，三 菱電機(jī)領(lǐng)先全球，該領(lǐng)域同樣沒有國內(nèi)企業(yè)身影。

3.3.1英飛凌(Infineon)-全球功率半導(dǎo)體分立器件航母：略

3.3.2德州儀器(TI)-全球模擬 IC 和功率 IC 的巨頭：略

……

3.3.3他山之石可以攻玉，國際大廠發(fā)展路徑值得借鑒

公司逐漸崛起成為龍頭企業(yè)或許有著其不可復(fù)制的偶然性與巧合，但在這些背后所透露出來的發(fā)展理念以及共性值得學(xué)習(xí)。

精簡(jiǎn)業(yè)務(wù)組合，加強(qiáng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)

第一個(gè)集成電路就誕生于德州儀器，從此德州儀器一直是集成電路行業(yè)的領(lǐng)跑者，但 隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的快速激增，德州儀器的發(fā)展速度無法跟上，于是德州儀器放棄了 在數(shù)字電路上的廣大市場(chǎng)，專心發(fā)展于模擬集成電路這一領(lǐng)域;而由于模擬 IC 的多 元化導(dǎo)致模擬 IC 的種類不斷的增多，因此德州儀器也不停的開展對(duì)其他相關(guān)公司進(jìn) 行并購來進(jìn)入模擬 IC 領(lǐng)域的新賽道，以保障其龍頭地位。

英飛凌的例子也，從其上市開始，便在不停地剝離劣勢(shì)產(chǎn)業(yè)，如奇夢(mèng)達(dá)、光纖部門、 通信部門等，將全部精力放在功率半導(dǎo)體器件上，而在其成為功率半導(dǎo)體龍頭之后， 再對(duì)本身較為強(qiáng)勢(shì)的車用半導(dǎo)體以及智能卡進(jìn)行加強(qiáng)，其智能卡領(lǐng)域在 16 年超越 NXP 成為龍頭，以及在 2019 年完成對(duì) Cypress 的收購后，預(yù)計(jì)在 2020 年將成為 車載半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭。

強(qiáng)調(diào)科研開發(fā)，重視人才招納

德州儀器十分重視科研開發(fā)。在 1952 年，電子行業(yè)尚未興起之時(shí)，德州儀器便開始 進(jìn)行晶體管的制造與銷售，并隨后建立了中央研究室。而第一個(gè)商用硅晶體管、第一 個(gè)集成電路、第一個(gè)邏輯芯片等當(dāng)下半導(dǎo)體的核心器件都誕生于此。而現(xiàn)在，TI 與

七十幾所大學(xué)合作，共設(shè)立了近百個(gè)實(shí)驗(yàn)室。同時(shí)，德州儀器每年投入近百億人民幣 進(jìn)行科研開發(fā)所用，占其公司總營收的 10%。

相較于一路領(lǐng)跑的德州儀器，英飛凌的發(fā)展則更具說服力。在 1999 年英飛凌剛剛上 市之時(shí)，英飛凌在科研投入占據(jù)其總營收的 35%!而后面，隨著企業(yè)規(guī)模的不斷擴(kuò) 大，雖然其在諸如生產(chǎn)、銷售上的成本不斷提高，導(dǎo)致其科研投入占比不斷下降，但 其凈科研投入規(guī)模卻始終保持增長(zhǎng)狀態(tài)，2018 年英飛凌在科研上投入8.36億歐元， 約為人民幣 65 億元，約占營業(yè)收入比例為 11%。

對(duì)比海外功率半導(dǎo)體公司，國內(nèi)的功率半導(dǎo)體公司無論是在研發(fā)投入比例上除少數(shù) 公司外均低于海外公司，這也與本土企業(yè)盈利能力不強(qiáng)有關(guān)，只有開發(fā)出有競(jìng)爭(zhēng)力的 高附加值產(chǎn)品，為企業(yè)創(chuàng)造利潤，進(jìn)而能帶動(dòng)研發(fā)投入增加，形成良性循環(huán)。

借助資本力量，外延式并購打造強(qiáng)大平臺(tái)

無論是英飛凌還是 TI，在公司成長(zhǎng)過程中均通過 IPO 上市進(jìn)行募資，后續(xù)又不斷進(jìn) 行外延式并購和擴(kuò)張，深耕公司優(yōu)勢(shì)主業(yè)。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)門檻高，技術(shù)積累周期長(zhǎng)，外延式并購可以一方面快速獲得更多的核 心技術(shù)和優(yōu)秀團(tuán)隊(duì)，圍繞主業(yè)打造專利護(hù)城河，提高行業(yè)進(jìn)入門檻，另一方面半導(dǎo)體 領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新容易快速引發(fā)行業(yè)格局變化，外延式并購也達(dá)到消除潛在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的 目的，并且對(duì)于上市公司而已外延式并購可以快速增厚公司業(yè)績(jī)，增強(qiáng)投資者信心， 進(jìn)一步利于公司融資再投資。

4.投資邏輯

4.1投資主線

國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展邏輯:

• 功率半導(dǎo)體全球來看并非寡頭壟斷，功率器件和電路應(yīng)用十分廣泛，細(xì)分領(lǐng)域和 產(chǎn)品多而分散，市場(chǎng)多樣化，研發(fā)投入相對(duì)低是最突出的特征，公司運(yùn)營風(fēng)險(xiǎn)相 對(duì)低，因此國內(nèi)企業(yè)具備進(jìn)入該領(lǐng)域的機(jī)會(huì)，在特定領(lǐng)域或細(xì)分方向國內(nèi)企業(yè)可 以找準(zhǔn)賽道打造自身優(yōu)勢(shì)，形成細(xì)分領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
• 國內(nèi)企業(yè)規(guī)模和技術(shù)普遍大幅弱于國際廠商，國際大廠還具備專利優(yōu)勢(shì)，但功率 半導(dǎo)體發(fā)展歷史久遠(yuǎn)，很多基礎(chǔ)器件專利已過期，國內(nèi)企業(yè)可以針對(duì)相關(guān)產(chǎn)品在 前人成果基礎(chǔ)上進(jìn)行突破和創(chuàng)新將更加高效。另據(jù)華潤微電子測(cè)算，全球功率半 導(dǎo)體技術(shù)人才 20%為華人，通過人才的流動(dòng)和引進(jìn)，國內(nèi)企業(yè)已逐漸掌握相關(guān)技 術(shù)的 Know-how。
• 功率半導(dǎo)體產(chǎn)品追求高可靠性，制程要求低于數(shù)字電路或存儲(chǔ)領(lǐng)域，并不遵循摩 爾定律，這為制造端國內(nèi)企業(yè)追趕國際廠商留出機(jī)會(huì)。但客戶端壁壘更高，功率 半導(dǎo)體的驗(yàn)證周期長(zhǎng)，成本敏感度低，但國內(nèi)廠商在服務(wù)和交期上可以建立優(yōu)勢(shì)， 下游市場(chǎng)在大陸，在產(chǎn)品品質(zhì)做到一致的情況下，服務(wù)端做到及時(shí)和高效，交期 優(yōu)于國際廠商，國內(nèi)廠商還是會(huì)逐步贏得市場(chǎng)認(rèn)可和客戶訂單。
• 華為、中興事件反應(yīng)國際廠商對(duì)我國先進(jìn)技術(shù)封堵之心昭然若揭，以市場(chǎng)換技術(shù) 的路徑將越來越難，半導(dǎo)體自主可控已上升至國家戰(zhàn)略層面，下游廠商擔(dān)憂芯片 過度依賴海外廠商，卡脖子風(fēng)險(xiǎn)將會(huì)造成公司停擺，因此國內(nèi)半導(dǎo)體廠商迎來黃 金發(fā)展期，客戶端驗(yàn)證將易于從前。但當(dāng)前產(chǎn)業(yè)最大瓶頸不在于技術(shù)，而是人才 缺乏，當(dāng)前有國內(nèi)政策支持，人才團(tuán)隊(duì)引進(jìn)將變得相對(duì)容易，并伴隨資本持續(xù)進(jìn) 入該領(lǐng)域，行業(yè)人才的待遇將得到改善，也將吸引更多的人才進(jìn)入該領(lǐng)域。

現(xiàn)今新能源已成為功率半導(dǎo)體最大的市場(chǎng)，尤其是在新能源汽車需求持續(xù)走高的條 件下，市場(chǎng)對(duì)于功率半導(dǎo)體的需求量呈現(xiàn)穩(wěn)步上漲。在軌道交通、智能電網(wǎng)以及變頻 家電等領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)表現(xiàn)也十分活躍。縱觀整個(gè)功率器件市場(chǎng)，行業(yè)領(lǐng)先企 業(yè)均為歐美日廠商，如英飛凌、NXP、TI、瑞薩等，國內(nèi)仍處于起步階段。伴隨政策 和資本市場(chǎng)的支持，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑將更加清晰，市場(chǎng)的需求和進(jìn)口替代的 緊迫性將促進(jìn)國內(nèi)企業(yè)逐步成長(zhǎng)壯大。目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體發(fā)展已取得一定成績(jī)，但 進(jìn)口依賴程度依舊很高，國內(nèi)企業(yè)有巨大成長(zhǎng)空間，我們推薦關(guān)注研發(fā)實(shí)力較強(qiáng)并有 自主制造能力的國內(nèi)公司，重點(diǎn)關(guān)注業(yè)績(jī)穩(wěn)定可持續(xù)的企業(yè)。

轉(zhuǎn)載自未來智庫www.vzkoo.com。

（報(bào)告來源：國元證券；分析師：劉單于）