IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動，各種驅(qū)動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線電感，提高系統(tǒng)效率。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點。

碳化硅（SiC）器件生產(chǎn)工藝和技術(shù)已經(jīng)日趨成熟，目前市場推廣最大的障礙是成本。包括研發(fā)和生產(chǎn)成本以及應(yīng)用中碳化硅器件代換IGBT后整個電路中的驅(qū)動電容電阻的成本。除非生產(chǎn)商主推，而且的確能降低成本提高性能。畢竟采用新東西會付出很大代價的。受制于制造成本和產(chǎn)品良率影響，目前阻礙SiC產(chǎn)品大規(guī)模進入市場的主要原因是價格昂貴，一般是同類Si產(chǎn)品的10倍左右。雖然說未來隨著技術(shù)改進和成本下降，碳化硅（SiC）器件取代IGBT是必然碳化硅（SiC）器件，性能上可能是很厲害，但真能成為大勢不光要性能上，還要成本上，可靠性上多重保證才行。