當(dāng)5G設(shè)備需要處理GHz級(jí)信號(hào)時(shí)，傳統(tǒng)電容器為何力不從心？

隨著5G通信、毫米波雷達(dá)等高頻應(yīng)用普及，貼片穿心電容在高頻段的性能短板逐漸顯現(xiàn)。在GHz頻段下，傳統(tǒng)介質(zhì)材料的介電損耗顯著增加，導(dǎo)致信號(hào)衰減加劇，直接影響設(shè)備穩(wěn)定性。
行業(yè)測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，某些常規(guī)介質(zhì)在1GHz以上頻段的損耗因子可能升高至低頻段的3倍以上（來源：IMARC, 2023）。如何突破這一瓶頸？新型材料的研發(fā)成為關(guān)鍵突破口。