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IRG4PC50UDPBF/IR/英飛凌

發(fā)布時間:2019年12月3日

IRG4PC50UDPBF現(xiàn)貨供應(yīng)

制造商: Infineon /IR
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息

商品品牌:IR
商品類別:MOS(場效應(yīng)管)
二級分類:MOS(場效應(yīng)管)
商品型號:IRG4PC50UDPBF
封裝規(guī)格:TO-247
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 2 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 55 A
Pd-功率耗散: 200 W
最小工作溫度: – 55 C
封裝: Tube
高度: 20.7 mm (Max)
長度: 15.87 mm (Max)
寬度: 5.31 mm (Max)
商標(biāo): Infineon Technologies
產(chǎn)品類型: IGBT Transistors

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