為何看似相同的開(kāi)關(guān)二極管，在電路中表現(xiàn)卻大相徑庭？關(guān)鍵秘密藏在正向壓降（VF）和反向擊穿電壓（VBR）這兩個(gè)核心參數(shù)里。
一、 揭開(kāi)正向壓降的神秘面紗
當(dāng)電流正向流過(guò)二極管時(shí)，必須克服的”門(mén)檻電壓”就是正向壓降。這源于PN結(jié)內(nèi)部的耗盡層勢(shì)壘——半導(dǎo)體物理的天然屏障。
影響VF的三駕馬車(chē)
- 材料特性：硅二極管VF通常0.6-0.7V，鍺管僅0.2-0.3V（來(lái)源：IEEE標(biāo)準(zhǔn), 2021）
- 電流大小：電流增大時(shí)，VF呈輕微上升趨勢(shì)
- 溫度效應(yīng)：溫度每升高1℃，硅管VF約下降2mV（來(lái)源：IEC 60747標(biāo)準(zhǔn)）
過(guò)高的VF如同卡脖子的瓶頸，直接導(dǎo)致導(dǎo)通損耗飆升。在開(kāi)關(guān)電源這類(lèi)高頻應(yīng)用中，這點(diǎn)壓降可能就是效率的生死線。
二、 反向擊穿電壓：安全防護(hù)網(wǎng)
給二極管施加反向電壓時(shí)，超過(guò)某個(gè)臨界值就會(huì)引發(fā)”雪崩”——電流急劇增大，這就是反向擊穿電壓VBR。
擊穿機(jī)制的兩種面孔
- 齊納擊穿：低電壓擊穿（<5V），源于強(qiáng)電場(chǎng)下的電子隧穿
- 雪崩擊穿：高電壓擊穿（>7V），載流子碰撞引發(fā)連鎖反應(yīng)
重要提示：常規(guī)工作電壓必須低于VBR的80%！否則二極管可能瞬間變身”導(dǎo)線”，連帶燒毀后級(jí)電路（來(lái)源：JEDEC JESD77B標(biāo)準(zhǔn)）。
三、 實(shí)戰(zhàn)選型：魚(yú)與熊掌的博弈
選二極管就像走鋼絲：追求低壓降？可能犧牲耐壓能力；想要高耐壓？往往伴隨更大壓降。
關(guān)鍵平衡點(diǎn)
- 低壓場(chǎng)景：優(yōu)先考慮VF，例如電池供電設(shè)備
- 高壓環(huán)境：重點(diǎn)考察VBR余量，如AC/DC電源輸入端
- 溫度預(yù)算：高溫環(huán)境需預(yù)判VF下降和VBR漂移
設(shè)計(jì)警示：忽略反向恢復(fù)時(shí)間的壓降數(shù)據(jù)都是耍流氓！快恢復(fù)二極管雖VF略高，但能顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。
