為何SiC和GaN成為功率器件的新焦點？
隨著能源效率要求的不斷提升，傳統硅基功率器件正面臨性能瓶頸。寬禁帶半導體材料如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優異的物理特性，正在逐步改變功率器件的設計格局。
SiC器件：向高壓高功率應用邁進
碳化硅憑借其出色的熱導率和擊穿電場強度，在電動汽車、工業電源和可再生能源系統中展現出巨大潛力。相較于傳統硅器件，SiC MOSFET在開關損耗方面有顯著優化。
* Vishay持續投入SiC技術的研發，推出適用于高頻和高溫環境的封裝方案
* 行業預測顯示，到2027年全球SiC功率器件市場規模將達到數十億美元(來源：Yole Développement, 2023)
GaN器件：高頻與小型化的關鍵
氮化鎵則以其超高的電子遷移率，成為實現高頻開關的理想選擇。它特別適用于需要緊湊設計和高轉換效率的應用場景，例如服務器電源和通信設備。
* Vishay通過優化GaN器件的封裝結構，提升了其在實際工作條件下的穩定性和可靠性
* GaN技術的進步也促使更多設計工程師重新思考電源拓撲結構的創新空間
技術挑戰與未來方向
盡管前景廣闊，但寬禁帶半導體在普及過程中仍面臨一些共性挑戰：
* 材料成本相對較高
* 制造工藝尚需進一步成熟
* 需要匹配新的驅動和控制策略
為了應對這些挑戰，Vishay聯合產業鏈上下游企業，推動標準化進程和技術共享，加速SiC與GaN產品的市場滲透。
結語
從當前趨勢來看，SiC和GaN作為下一代功率器件的核心材料，將不斷拓展應用場景。Vishay在該領域的持續投入，不僅推動了產品線的升級，也為行業提供了更豐富的系統級解決方案。
