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英飛凌IGBT模塊內(nèi)部構(gòu)造與工作原理

發(fā)布時(shí)間:2025年6月25日

你是否了解一個(gè)小小的IGBT模塊背后隱藏著怎樣的技術(shù)奧秘?它的構(gòu)造如何支撐起復(fù)雜的電力系統(tǒng)運(yùn)行?這篇文章將帶你深入了解英飛凌IGBT模塊的內(nèi)部世界。

什么是IGBT模塊?

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種結(jié)合了MOSFET輸入特性和BJT輸出特性的復(fù)合型功率晶體管。它廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、軌道交通和新能源等領(lǐng)域。
英飛凌作為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體廠商,其IGBT模塊憑借高可靠性和集成化設(shè)計(jì)受到市場青睞。

IGBT模塊的基本功能

IGBT模塊的核心作用是實(shí)現(xiàn)電能的高效轉(zhuǎn)換與控制。通過柵極信號(hào)調(diào)節(jié)導(dǎo)通狀態(tài),能夠在高壓大電流條件下穩(wěn)定工作。

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