當(dāng)5G基站密度激增，光模塊如何選擇核心芯片？EML和DML這兩大技術(shù)路線，正成為影響網(wǎng)絡(luò)性能與成本的關(guān)鍵決策點(diǎn)。

光芯片技術(shù)原理揭秘

直接調(diào)制激光器（DML）

DML芯片通過電流直接驅(qū)動(dòng)激光腔實(shí)現(xiàn)信號(hào)調(diào)制。其結(jié)構(gòu)緊湊，驅(qū)動(dòng)電路相對(duì)簡(jiǎn)單，功耗控制具有優(yōu)勢(shì)。
常見于短距離傳輸場(chǎng)景，例如基站前傳鏈路。但隨著速率提升，頻率啁啾效應(yīng)可能限制其性能邊界。

電吸收調(diào)制激光器（EML）

EML芯片采用分離式設(shè)計(jì)：激光源持續(xù)發(fā)光，電吸收調(diào)制器獨(dú)立控制光信號(hào)通斷。這種外調(diào)制架構(gòu)帶來更清晰的信號(hào)眼圖。
適用于中長(zhǎng)距離傳輸，在25Gbps以上高速場(chǎng)景表現(xiàn)穩(wěn)定。但需要更復(fù)雜的溫控系統(tǒng)和驅(qū)動(dòng)電路支撐。

5G網(wǎng)絡(luò)的光器件需求變革

5G前傳網(wǎng)絡(luò)要求光模塊同時(shí)滿足三大矛盾需求：低時(shí)延、高密度部署、成本可控。根據(jù)行業(yè)分析，2023年全球5G前傳光模塊出貨量突破2000萬只(來源：LightCounting, 2023)。
毫米波頻段的應(yīng)用使信號(hào)傳輸距離縮短，但單基站數(shù)據(jù)吞吐量激增。這種變化推動(dòng)光器件向小型化、低功耗方向演進(jìn)。

選型決策的三大維度

傳輸距離場(chǎng)景

• 300米內(nèi)短距：DML方案成本優(yōu)勢(shì)顯著
• 2-10公里中距：EML方案性能更可靠
• 10公里以上：需配合其他技術(shù)增強(qiáng)

功耗敏感度

DML芯片功耗通常比同速率EML低30%左右，對(duì)供電受限的AAU設(shè)備更具吸引力。

成本結(jié)構(gòu)差異

EML芯片因包含分立調(diào)制器，物料成本較高。但系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)時(shí)，其外圍電路簡(jiǎn)化可能抵消部分差距。

實(shí)戰(zhàn)選型策略指南

面對(duì)5G多場(chǎng)景需求，可參考以下決策樹：
1?? 確認(rèn)傳輸距離需求
2?? 評(píng)估設(shè)備功耗預(yù)算
3?? 分析生命周期成本
4?? 測(cè)試鏈路容錯(cuò)能力
例如分布式基站場(chǎng)景，DML方案在滿足性能前提下，可顯著降低整體部署成本；而核心匯聚節(jié)點(diǎn)則更傾向選擇EML確保信號(hào)完整性。

未來技術(shù)融合趨勢(shì)

硅光技術(shù)正推動(dòng)新型混合集成方案出現(xiàn)。部分廠商嘗試將EML調(diào)制器與DML驅(qū)動(dòng)電路融合，在保持性能的同時(shí)優(yōu)化功耗指標(biāo)。
量子點(diǎn)激光器等新結(jié)構(gòu)也在實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證階段，有望突破現(xiàn)有調(diào)制效率瓶頸(來源：OFC會(huì)議簡(jiǎn)報(bào), 2024)。