可控硅(晶閘管)作為關鍵功率開關器件,其狀態直接影響電路穩定性。本文詳解用萬用表快速判斷可控硅好壞的實操方法,覆蓋單/雙向類型檢測邏輯。
一、可控硅基礎與檢測原理
可控硅由PNPN四層半導體構成,含陽極(A)、陰極(K)、門極(G)三個電極。其核心特性為:門極觸發導通后維持通態,僅當電流低于維持電流時關斷。
| 電極功能 | 導通條件 |
|—————–|———————–|
| 陽極(A)-陰極(K) | 門極觸發+正向電壓 |
| 門極(G)-陰極(K) | 提供觸發信號通路 |
檢測邏輯:通過測量極間電阻變化驗證觸發功能與維持特性。
二、萬用表檢測實操步驟
1. 單向可控硅基礎檢測
步驟1:靜態電阻測試
– 萬用表調至電阻檔(R×1k)
– 測量A-K極間電阻:正常應為∞(反向)或數百kΩ(正向)
– G-K極間電阻:通常為數十至數百Ω
步驟2:觸發能力驗證
1. 紅表筆接A極,黑表筆接K極(顯示高阻)
2. 短接G-K極(用導線或表筆觸碰)
3. 移除G極連接:若A-K間保持低阻(約幾十Ω),表明觸發功能正常
2. 雙向可控硅檢測要點
- 采用T1/T2主端子+門極(G) 結構
- 測試時需對T1/T2雙向觸發驗證:
- 紅表筆接T1,黑表筆接T2(初始高阻)
- 短接G-T2后移除:應保持導通
- 調換表筆重復上述操作
3. 常見故障現象對照表
測試現象 | 可能故障原因 |
---|---|
A-K/G-K間電阻為0 | 極間擊穿短路 |
觸發后無法維持導通 | 維持電流特性失效 |
任意兩極間電阻∞ | 內部開路 |
三、操作注意事項
- 安全防護:測試高壓電路前斷開電源,釋放電容殘余電荷
- 誤判規避:
- 觸發時確保表筆接觸良好
- 大功率可控硅需用電池供電萬用表(提供足夠觸發電流)
- 器件保護:避免用高阻檔測量G極,防止靜電損傷(來源:IEC 60747標準, 2020)
關鍵提示:部分數字萬用表的二極管檔輸出電壓不足,可能導致觸發失敗,建議優先選用機械表或專用測試儀。
掌握上述方法可快速篩查90%以上可控硅故障。實際應用中需結合電路工作電壓與負載特性綜合判斷,避免忽略隱性性能劣化問題。