掌握基礎檢測方法可快速排查電路故障。本文詳解如何僅用萬用表完成可控硅靜態參數測試、觸發功能驗證及常見失效模式判斷,提升維修效率。
一、認識可控硅的基礎特性
可控硅(晶閘管)作為三端半導體開關器件,包含陽極(A)、陰極(K)和門極(G)。其核心特性是單向導通性與門極觸發控制。
正常工作需同時滿足:陽極-陰極間施加正向電壓,且門極收到觸發電流。觸發后即使撤除門極信號,只要正向電流維持,器件將持續導通(來源:IEEE標準, 2021)。
二、靜態檢測:萬用表基礎測試
2.1 PN結單向導電性驗證
- 萬用表調至二極管檔
- 紅表筆接陰極(K),黑表筆接陽極(A):正常顯示無窮大阻值(反向阻斷)
- 表筆反接:仍顯示無窮大(正向未觸發不導通)
2.2 門極-陰極特性檢測
- 紅表筆接門極(G),黑表筆接陰極(K):顯示0.5V-1V正向壓降
- 表筆反接:顯示略高的反向壓降值
異常現象:雙向導通或開路均預示損壞
三、動態檢測:觸發功能驗證
3.1 簡易觸發測試法
- 萬用表撥至電阻檔(×1K)
- 黑表筆接陽極(A),紅表筆接陰極(K),讀數應為無窮大
- 用導線瞬間短接A-G極:電阻值驟降至低位
- 斷開短接線:維持低阻狀態(維持導通)
3.2 失效模式特征對照表
現象 | 可能原因 |
---|---|
靜態測試A-K雙向導通 | 擊穿短路 |
觸發后無法維持導通 | 維持電流不足 |
觸發無響應 | 門極開路/老化 |
四、操作注意事項
測試前務必斷電放電,大功率器件可能殘留高壓。避免使用高阻檔觸發敏感門極電路,防止過壓損壞(來源:IPC檢測標準, 2020)。
金屬封裝可控硅需注意外殼與電極絕緣。檢測時保持手指干燥,靜電防護不可忽視。