全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷結(jié)構(gòu)性變革，AI算力芯片需求激增、新能源汽車滲透率提升、國產(chǎn)替代進(jìn)程加速三大引擎共同推動市場增長。據(jù)WSTS預(yù)測，2024年全球半導(dǎo)體銷售額將突破6000億美元（來源：WSTS），產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇態(tài)勢明確。
一、核心增長驅(qū)動力分析
AI算力芯片爆發(fā)增長
- 云端訓(xùn)練芯片：大模型參數(shù)量級躍升推動高帶寬存儲(HBM)需求
- 邊緣推理芯片：智能終端設(shè)備搭載專用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器(NPU)成標(biāo)配
- 先進(jìn)封裝技術(shù)：Chiplet架構(gòu)通過硅中介層實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成
全球AI芯片市場規(guī)模預(yù)計2025年達(dá)726億美元（來源：Tractica），3D堆疊等先進(jìn)封裝技術(shù)滲透率將持續(xù)提升。
新能源車功率半導(dǎo)體放量
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)器件在電驅(qū)系統(tǒng)中的應(yīng)用占比突破40%（來源：Yole）。800V高壓平臺普及帶動SiC MOSFET需求，充電樁模塊功率密度要求提升至50kW/L以上。
二、國產(chǎn)替代加速推進(jìn)
成熟制程領(lǐng)域突破
28nm及以上成熟工藝節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張，國內(nèi)晶圓廠在全球占比提升至19%（來源：IC Insights）。電源管理芯片(PMIC)、顯示驅(qū)動芯片(DDIC)等品類國產(chǎn)化率突破30%。
設(shè)備材料自主進(jìn)程
- 刻蝕設(shè)備：國產(chǎn)設(shè)備在介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域市占率達(dá)25%
- 光刻膠：g線/i線光刻膠完成驗證導(dǎo)入
- 硅片：12英寸硅片月產(chǎn)能突破百萬片
三、2024年投資關(guān)注方向
結(jié)構(gòu)性機(jī)會把握
存儲芯片周期觸底反彈，DDR5滲透率提升帶動接口芯片需求。傳感器芯片在智能座艙領(lǐng)域應(yīng)用擴(kuò)展，車載激光雷達(dá)核心元器件迎來增量空間。
技術(shù)演進(jìn)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)
第三代半導(dǎo)體在光伏逆變器領(lǐng)域替代加速，GaN器件在快充市場滲透率超60%。先進(jìn)封裝推動測試接口需求增長，探針卡等耗材市場年復(fù)合增長率達(dá)12%（來源：TechSearch）。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入技術(shù)驅(qū)動與國產(chǎn)替代雙輪共振階段。短期關(guān)注庫存周期見底的消費(fèi)電子芯片，中長期把握功率半導(dǎo)體、AI算力芯片、先進(jìn)封裝三大主線。產(chǎn)業(yè)政策持續(xù)聚焦關(guān)鍵技術(shù)突破，設(shè)備材料領(lǐng)域有望誕生新龍頭。
