光電子技術(shù)正驅(qū)動第三次半導(dǎo)體革命。中科院半導(dǎo)體所近期在光子集成、新型發(fā)光材料及光量子器件領(lǐng)域取得系列突破，為通信、顯示與計算產(chǎn)業(yè)開辟全新路徑。本文解析三大核心進展及其產(chǎn)業(yè)化潛力。

光子集成技術(shù)突破瓶頸

混合集成方案成熟

傳統(tǒng)硅基光電子面臨發(fā)光效率限制。研究團隊創(chuàng)新性采用III-V族/硅混合集成方案：
– 異質(zhì)鍵合技術(shù)實現(xiàn)<500nm對準精度
– 片上激光器閾值電流降低至1.2mA (來源：中科院半導(dǎo)體所)
– 調(diào)制帶寬突破200GHz
該方案使光電共封裝（CPO）模塊成本下降40%，為數(shù)據(jù)中心光互連提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。

硅基光量子芯片進展

實驗室成功制備8量子比特光量子芯片：
– 采用微環(huán)諧振腔陣列架構(gòu)
– 保真度達98.7% (來源：《光子學研究》)
– 單芯片集成光源/調(diào)制/探測單元
這標志著量子光學計算向?qū)嵱没~進關(guān)鍵一步。

新型發(fā)光材料應(yīng)用加速

量子點顯示產(chǎn)業(yè)化

鈣鈦礦量子點（PQD）技術(shù)取得重大突破：
– 外量子效率提升至21.5%
– 色域覆蓋率達140% NTSC
– 器件壽命突破10萬小時(來源：《先進材料》)
該技術(shù)已應(yīng)用于微顯示領(lǐng)域，解決AR眼鏡亮度與功耗矛盾。

深紫外LED突破

采用AlGaN材料體系的深紫外光源：
– 278nm波長輸出功率達80mW
– 滅菌效率超傳統(tǒng)汞燈3倍
– 醫(yī)療設(shè)備模組進入臨床測試

光量子技術(shù)實用化進程

單光子源技術(shù)成熟

基于量子點確定性發(fā)光技術(shù)：
– 單光子純度達99.8%
– 光子不可分辨性0.92
– 可集成于標準CMOS工藝(來源：《自然·光子學》)
該成果為量子通信核心器件國產(chǎn)化奠定基礎(chǔ)。

量子傳感技術(shù)突破

研制出芯片化量子磁力計：
– 靈敏度達飛特斯拉級
– 體積縮小至硬幣尺寸
– 功耗低于100mW
醫(yī)療影像與地質(zhì)勘探領(lǐng)域已啟動場景驗證。