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IGBT與MOSFET對(duì)比分析:功率半導(dǎo)體器件的選型指南

發(fā)布時(shí)間:2025年7月17日

面對(duì)電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電力電子設(shè)計(jì)時(shí),IGBTMOSFET是兩大核心功率開關(guān)器件。理解其本質(zhì)差異,才能避免選型失誤造成的效率損失或成本浪費(fèi)。本文將從結(jié)構(gòu)原理、性能特點(diǎn)到典型應(yīng)用場(chǎng)景,提供實(shí)用選型參考。

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